IXFH 20N60Q
IXFT 20N60Q
40
Fig. 7. Input Admittance
42
Fig. 8. Transconductance
35
30
25
36
30
24
T J = -40oC
25oC
125oC
20
15
10
5
0
T J = -40oC
25oC
125oC
18
12
6
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
10
20
30
40
50
60
60
V GS - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-Drain
Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
50
40
8
V DS = 300V
I D = 10A
I G = 10mA
6
30
20
10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
2
0
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
0
20
40
60
80
100
V SD - Volts
Q G - nanoCoulombs
10000
Fig. 11. Capacitance
1
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Resistance
f = 1M Hz
C iss
1000
100
C oss
C rss
0.1
0.01
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
1
10 100
Pulse Width - milliseconds
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
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